Центр коллективного пользования «Технологии и Материалы НИУ «БелГУ» дооснащен сканирующим электронным микроскопом WIN SEM A8000. Микроскоп предназначен для получения изображений, измерений линейных размеров, определения формы, ориентации и других параметров, нано- и микроструктур поверхностей различных объектов. Микроскоп оснащен электронной пушкой с термополевым катодом типа Шоттки (Schottky FEG) и является универсальным высокоразрешающим микроскопом для широкого круга исследуемых материалов. В электронно-оптической колонне микроскопа используется технология ускорительной трубки для уменьшения аберраций и обеспечения высокого пространственного разрешения в том числе и при очень малых ускоряющих напряжениях, что важно при работе с диэлектрическими и чувствительными к электронному облучению материалами.
Технологии электронно-оптической колонны: термополевой источник электронов, обеспечивает высокую стабильность тока эмиссии пучка, высокое пространственное разрешение; электронно-оптическая колонна с ускорительной трубкой для обеспечения высокого разрешения при низких ускоряющих напряжениях; комбинированная неиммерсионная объективная линза, состоящая из электромагнитной и электростатической линз, обеспечивает отсутствие магнитного поля снаружи объектива, что позволяет проводить съемку даже сильно намагниченных образцов.
Совершенная система детектирования: одновременный сбор сигнала от двух типов детекторов вторичных электронов (SE), обратно-рассеянных электронов (BSE), и детектора сканирующей просвечивающей электронной микроскопии (STEM); одновременное отображение морфологии и материального контраста для наиболее полного и всестороннего исследования формы поверхности и структуры образца.
Технические характеристики:
- Источник электронов — термополевой катод Шоттки.
- Диапазон тока электронного пучка — 0,001 нА-40 нА.
- Диапазон значений ускоряющего напряжения 0,02 — 30кВ.
- Разрешение во вторичных электронах: при 30 кВ — 0,9 нм, при 1 кВ — 1,5 нм.
- Регистрируемые одновременно сигналы — 4.
- Одновременное отображение морфологии и материального контраста — поддерживается.
- Диапазона увеличений — 1 крат — 2000000 крат.
- Предметный стол — 5-осевой.
- Внутренние габариты камеры микроскопа, ШхВхГ — 370 мм х 330 мм х 344 мм.
- Диапазон перемещения по осям X х Y х Z — 130 мм х 130 мм х 60 мм.
- Разрешение получаемых изображений — от 256 х 256 до 16384 х 16384 пикселей.
- Определение геометрических характеристик образцов — поддерживает.
- Достижимая ширина поля зрения без искажений геометрии поверхности образца и спец. функций — 6 мм.
- Тип детектора ЭДС — кремний дрейфовый детектор.
- Детектирование элементов — от бора (В) до калифорния (Cf)
- Количественный анализ элементов — начиная с бериллия (Be).
- Энергетическое разрешение спектрометра ЭДС — 129 эВ (для линии MnКα).
- Функции спектрометра:
- Картирование элементного состава;
- Анализ по точкам;
- Анализ из произвольной области;
- Профилирование концентрации элементов вдоль линии;
- Одновременное картирование ЭДС/ДОРЭ.
- Максимальный размер ориентационной карты ДОРЭ 64 миллиона пикселей.
- Максимальная скорость ориентационного картирования ДОРЭ (включая индексацию картин дифракции) 3000 точек в секунду.
- Тип карт, получаемых из ориентационной карты:
- Качества картин дифракции;
- Распределения фаз;
- Ориентировок зёрен;
- Компонентов текстуры;
- Распределения деформаций (Schmid / КАМ / LAM / GND);
- Разориентировок зерен (GROD / GOS / разориентировка);
- Фазовых границ и границ зерен;
- Специальных границ (двойники, CSL);
- Границы соотношений ориентировок фаз;
- Распределения элементов (ЭДС).
КОМПЛЕКТАЦИЯ:
- Детекторы SE (InLens) — внутрилинзовый детектор вторичных электронов.
- Детектор SE (ETD) — детектор вторичных электронов в вакуумной камере.
- Детектор BSE — детектор обратно-отраженных электронов полупроводникового типа, сегментированный (4 сегмента).
- Энергодисперсионный спектрометр характеристического рентгеновского излучения (ЭДС / EDS).
- Быстрая камера регистрации картин дифракции обратно-рассеянных электронов (ДОРЭ).